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元件参数资料
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参数目录38723
> PH1955L,115 MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK
型号:
PH1955L,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PH1955L,115 PDF
产品目录绘图
MOSFET LFPAK-4
标准包装
1
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
17.3 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1992pF @ 25V
功率 - 最大
75W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商设备封装
LFPAK,Power-SO8
包装
标准包装
产品目录页面
1507 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
568-2174-6
查看PH1955L,115代理商
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